厂商：美国SemiNex公司

简介：美国SemiNex 1W 超高功率半导体光放大器（SOA）依托公司先进的外延层与光波导结构专利技术，可在 25°C 下实现 30dBm（1W）的饱和输出功率，功率转换效率超过 25%，是面向下一代高速、高数据吞吐量共封装光学（CPO）应用的高功率光放大平台。
产品采用倾斜直波导结构，具备低端面反射率（<0.1%）、高偏振消光比（18dB）、宽增益带宽（80nm）及低噪声指数（7dB）等优异特性，工作波长覆盖 1310nm O 波段，支持标准芯片载体（COC）及阵列封装，并可定制硅光（Si PIC）集成方案。典型型号 COC-703E-10 输出功率 0.8W、COC-703F-10 输出功率 1W，工作电流 2.5A、电压 1.6V，工作温度 -20~75°C。
该产品为数据中心、AI 高性能计算、光网络及共封装光学提供可靠的大功率光放大能力，助力光互连实现更高带宽与更大数据吞吐。

厂商：美国SemiNex公司

简介：美国SemiNex 14 引脚蝶形封装高功率半导体光放大器（SOA）采用公司自有外延生长与 SOA 波导专利设计，在高性价比的蝶形封装内实现高增益与高饱和输出功率，适用于单模相干激光的高功率放大。产品覆盖 C 波段（1550nm）与 O 波段（1310nm），内置光隔离器，采用保偏（PM）光纤，典型型号在输入功率 10~15dBm、SOA 电流 1.2A 条件下饱和输出功率最高达 24dBm（约 250mW），小信号增益最高 32dB，3dB 带宽 80nm，噪声指数低至 5~6dB，并支持 1ns 级快速开关脉冲应用。全系采用标准 14 引脚蝶形封装，内置 TEC 温控与热敏电阻，工作温度 -20~75°C，存储温度 -40~85°C。产品面向数据中心、光通信与相干激光雷达等场景，为高功率光放大提供标准化、低成本的光模块级方案，L 波段版本即将推出。