参数 |
符号 |
MXAN-LN-10 |
MXAN-LN-20 |
MXAN-LN-40 |
单位 |
电光带宽 |
S21 |
10到12 |
20到25 |
28到30 |
GHz |
抖动 |
DS21 |
0.5 |
0.5 |
0.5 |
dB |
电回波损耗 |
ES11 |
-12 |
-12 |
-12 |
dB |
Vπ@50kHz |
VπRF50Hz |
5.5到6 |
5到5.5 |
5到6 |
V |
Vπ |
VπRF10Gb/s |
6.5到7@10G |
7到8@20G |
7到8@20G |
V |
Vπ@DC |
VπDC |
6.5到7 |
6.5到7 |
6.5到7 |
V |
二次谐波抑制率 |
H1-H2 |
70 |
60 |
60 |
db |
射频电阻 |
Zin-RF |
50 |
50 |
50 |
MΩ |
直流电阻 |
Zin-DC |
1 |
1 |
1 |
|
晶体类型 |
Lithium Niobate X-Cut Y-Prop |
||||
工作波长 |
l |
1530-1625 |
1530到1625 |
1530-1625nm |
dB |
插入损耗 |
IL |
3.5 |
2.7到4.5 |
3.5到4.5 |
dB |
DC消光比 |
ER |
20-22 |
20到22 |
20到25 |
dB |
光回波损耗 |
ORL |
-40到-45 |
-45 |
-45 |
dBm |
RF输入功率 |
EPin |
28 |
28 |
28 |
dBm |
光输入功率 |
OPin |
20 |
20 |
20 |
V |
偏压范围 |
Vbias |
-20到+20 |
-20到+20 |
-20到+20 |
℃ |
存储温度 |
ST |
-40到85 |
-40到+85 |
-40到+85 |
GHz |